سامسونج تطرح جيلًا جديدًا من ذواكر الوصول العشوائي

أعلنت سامسونج عن تطويرها لجيل جديد من ذواكر الوصول العشوائي التي ستمنح الإلكترونيات أداء سريعا جدا وقدرات كبيرة في معاينة البيانات.

وأشارت شركة سامسونج على مواقعها على الإنترنت إلى أن تعاونها مع AMD أثمر عن إنتاج أول شريحة ذاكرة وصول عشوائي من نوع DDR5 بسعة 16 جيجابايت، ومطورة بتقنية 12 نانومتر.

وتبعا للخبراء في الشركة فإن ذواكر الوصول العشوائي الجديدة ستشكل أساسا للجيل الثاني من الحوسبة ولعمل مراكز البيانات والإلكترونيات الحديثة التي تعتمد على الذكاء الاصطناعي.

وتشير المعلومات المتوفرة إلى أن الذواكر الجديدة تتميز عن ذواكر DDR5 الحالية باستهلاك أقل للطاقة بمقدار 20% تقريبا، وسرعة أكبر في التعامل مع بيانات الإنترنت، وستوفر سرعات تصل إلى 7.2 جيجابايت/ثانية، الامر الذي سيسمح بمعالجة وتحميل فيديوهات عالية الدقة وذات أحجتم كبيرة تصل إلى 30 جيجابايت في وقت واحد.

ومن المفترض أن تطرح سامسونج هذه الذواكر عام 2023 مع مجموعة متنوعة من المعالجات والشرائح الإلكترونية المطورة بتقنية 12 نانومتر أيضا.